来源：教育部科技发展中心 刘乐译自：physorg.com网站 2006年12月8日
MIT的工程师最近发明了一种新技术，这能为微电子学带来革命性的进展。结果将在12月11日-13日的IEEE国际电子装置大会上由Dae-Hyun Kim公布。Kim是MIT微系统技术实验室（MTL）电机工程和计算机科学教授Jesus del Alamo的博士后。科学家估计10到15年后，现有晶体管技术将遇到瓶颈，这是由硅晶体管大小和性能决定的。del Alamo说：“我们每个人身边都有数十亿的晶体管，它们用在电话，笔记本电脑，汽车，iPod，厨房等各处。”
因此del Alamo和世界其它的实验室正在寻找新的材料和技术来突破这一瓶颈。del Alamo说：“这些新技术能使微电子器件越做越小。”Alamo和MTL的学生正在研究III-V化合物半导体。其中的热点是铟镓砷化合物（InGaAs），其中的电子速度比硅快数倍。所以能制成很小的晶体管并能很快地传递信息。
Del Alamo小组最近证明InGaAs晶体管能比目前最好的硅器件传递电流大2.5倍。更大的电流对于更快地运行速度很重要。此外每个InGaAs晶体管仅60纳米长。这和最先进的65纳米硅技术相当。Intel的晶体管研究和纳米技术主任，此项研究的发起人之一Robert Chau说：“60纳米InGaAs晶体管是在低电压情况下（0.5V）令人激动的结果，这也是研究的里程碑之一。”
但是del Alamo注意到InGaAs晶体管技术仍然处于起步阶段。还有很多问题需要解决，包括大批量生产，因为它比硅更容易破损。但是del Alamo预期InGaAs微电子设备的原型将在未来2年内面世，这一技术的推广则需要10年以上的时间。